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氮化鎵射頻器件具有高功率、高效率、高可靠性等特點。已經(jīng)證明在雷達、衛(wèi)星、通信基站等領域具有非常大的優(yōu)勢，隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用的發(fā)展，氮化鎵射頻器件市場需求不斷增長，前景廣闊。
2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術(shù)應用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。
論壇融合聚集產(chǎn)、學、研、用、政、金多個層面的資源，將邀請最具代表性的行業(yè)專家、企業(yè)家?guī)碜钋把刳厔莸姆窒硖接?。除了重量級開幕大會，設有五大熱點主題技術(shù)分會，以及多場產(chǎn)業(yè)峰會和先進半導體技術(shù)應用創(chuàng)新展，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領域技術(shù)前沿及應用進展。?
目前，作為IFWS的重要分會之一的“?氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，本屆分會得到了深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心的協(xié)辦支持。?中國電子科技集團第五十八所所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司總裁張乃千、江南大學教授/寧波錸微半導體總經(jīng)理敖金平將共同主持分會。
屆時，將有香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心張?zhí)斐剑袊茖W技術(shù)大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁裴軼，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院副教授李楊，中國科學院微電子研究所張國祥等多位科研院校知名專家及實力派企業(yè)代表共同參與，將圍繞氮化鎵射頻電子器件與應用發(fā)展分享主題報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)的前沿發(fā)展趨勢及最新動向，敬請關注！?
分會日程詳情如下：
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技術(shù)分會：氮化鎵射頻電子器件與應用 Technical Sub-Forum：RF Electronic Devices |
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時間：2024年11月21日08:30-12:00 地點：蘇州國際博覽中心G館 ? G107 Time: Nov 21, 08:30-12:00 Location:?Suzhou International Expo Centre ? G107 |
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協(xié)辦單位： 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心 |
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主持人??????????蔡樹軍-中國電子科技集團第五十八所所長 張乃千-蘇州能訊高能半導體有限公司總裁 Moderator?????敖金平-江南大學教授，寧波錸微半導體總經(jīng)理 |
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08:25-08:30 |
嘉賓致辭 & 合影 /?Opening?Address?& Group Photo?Shooting |
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09:00-09:20 |
面向未來數(shù)據(jù)中心和6G網(wǎng)絡的下一代高端生態(tài)半導體 Next-Gen High-End Eco-Semiconductors for Tomorrow’s Data Centers and 6G Networks 俞?捷——香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創(chuàng)始人 Patrick Yue——Professor, ECE Department,HKUST? Director, HKUST-Qualcomm Optical Wireless Lab (OWL) Founder of High5 Semiconductor (Hong Kong) Ltd. |
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09:20-09:40 |
移動終端射頻功放應用問題探討 Discussion on RF Power Amplifiers for Handset Applications 孫躍——小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師 SUN Yue——Senior Hardware Engineer?of?Xiaomi Communications Co., Ltd， |
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09:40-10:00 |
同質(zhì)外延氮化鎵射頻電子器件研究進展 薛軍帥——西安電子科技大學教授 XUE Junshuai——Professor Xidian University |
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10:00-10:20 |
FLAB：特色射頻半導體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索 張?zhí)斐健钲谑袇R芯通信技術(shù)有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心研究員 ZHANG Tianchen ?? |
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10:20-10:35 |
茶歇?/ Coffee Break |
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10:35-10:55 |
面向6G和Wi-Fi 7 的高頻和寬帶射頻濾波器 High-Frequency and Wideband RF Filters for 6G and Wi-Fi 7 左成杰——中國科學技術(shù)大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人 ZUO Chengjie——Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China |
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10:55-11:15 |
先進射頻氮化鎵制造中心支持DC-40GHz MMIC代工 Advanced?GaN?RF Manufacturing Center supports DC-40GHz MMIC foundry 裴軼——蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁 PEI Yi ?Vice president of ?Dynax Semi-conductor Inc |
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? 11:15-11:30 |
fT/fmax=10.4/7.1GHz 的藍寶石上AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors?On Sapphire With record fT/fmax=10.4/7.1GHz 張連——中國科學院半導體研究所副研究員 ZHANG Lian——Associate Professor of Institute of Semiconductor, CAS |
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11:30-11:45 |
3-20 GHz碳化硅基氮化鎵超寬帶威爾金森功分器 3-20 GHz Ultra-wideband Wilkinson Power DividerCombiner Using GaN on SiC 熊?鑫——九峰山實驗室 XIONG Xin ?JFS Laboratory |
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11:45-12:00 |
基于氮化鎵肖特基二極管的微波無線能量收集 Recent progress on GaN Schottky barrier diode based microwave energy harvesting 李 楊——江南大學集成電路學院副教授 LI Yang , Associate Professor, School of Integrated Circuits, Jiangnan University |
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12:00-12:15 |
基于GaN SBD技術(shù)的具有快速恢復性能的大功率微波限幅器High power microwave limiter with fast recovery performance based on GaN SBD technology 張國祥——中國科學院微電子研究所 ZHANG Guoxiang ?Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences |
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