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紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

發(fā)表于:2025-02-17 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

天眼查顯示,紫光同芯微電子有限公司“一種SGT器件及其制備方法”專利公布,申請(qǐng)公布日為2024年12月31日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN119230411A。

本發(fā)明公開了一種SGT器件及其制備方法,制備方法包括:在襯底上形成外延層;外延層包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面;第一表面為第二表面遠(yuǎn)離襯底的表面,外延層包括體區(qū),體區(qū)遠(yuǎn)離襯底的表面與第一表面為同一平面;在第一表面形成至少一個(gè)第一溝槽;第一溝槽由第一表面延伸至外延層內(nèi);在第一溝槽的側(cè)壁形成保護(hù)層;在每一第一溝槽內(nèi)形成第二溝槽;第二溝槽由第一溝槽的底部延伸至外延層內(nèi),每一第一溝槽對(duì)應(yīng)一個(gè)第二溝槽;沿第一方向,第二溝槽的寬度大于第一溝槽的寬度,第一方向垂直于襯底指向外延層的方向;在第二溝槽內(nèi)形成第一柵極結(jié)構(gòu);去除保護(hù)層;在第一溝槽內(nèi)形成第二柵極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可以優(yōu)化器件的雪崩特性,提高器件的承壓能力。