2月28日，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試，并在光伏客戶導(dǎo)入驗(yàn)證。這款模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)尺寸與標(biāo)準(zhǔn)的Easy 3B封裝相同，殼體高度僅12mm，能壓縮應(yīng)用系統(tǒng)的體積；不同之處在于，3B封裝加裝了金屬底座，如下圖2，讓模塊安裝更牢固，同時(shí)消除了塑料底座老化的隱患，更安全可靠。

圖1，模塊外觀

模塊電路拓?fù)?/span>

這款模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)內(nèi)部集成了4相升壓電路，共用電源接地，分為2組，集成熱敏電阻以監(jiān)測(cè)溫度，如下圖3，可靈活適配2路或者4路直流輸入（DC input），滿足個(gè)性化設(shè)計(jì)需求。相對(duì)于分立器件方案，大幅提升功率密度，同時(shí)顯著簡(jiǎn)化了電路的設(shè)計(jì)。

此外，該模塊具有開爾文源極引腳，能在SiC MOSFET高速開關(guān)時(shí)，抑制驅(qū)動(dòng)電壓尖峰，保障系統(tǒng)安全和高效。

圖2，模塊拓?fù)?/span>

2000V SiC MOSFET和SBD芯片

這款模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)中每一路升壓電路由2000V 23mΩ MOSFET和2000V 40A SBD芯片組成。其中2000V SiC MOSFET采用成熟的第二代平面柵SiC MOSFET工藝技術(shù)，具有良好的性能和可靠性表現(xiàn)，支持+15V至+18V開通電壓和-3.5V至-2V關(guān)斷電壓，室溫額定電流65A；其中2000V SiC SBD的正向壓降(Vf)具有正溫度系數(shù)，有利于并聯(lián)均流，保障系統(tǒng)安全穩(wěn)定。

2000V SiC模塊的應(yīng)用價(jià)值

隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，在光伏、儲(chǔ)能、電網(wǎng)等領(lǐng)域的功率變換系統(tǒng)呈現(xiàn)2個(gè)趨勢(shì)：一是追求更高工作頻率，以縮減電感和電容規(guī)格，降低物料成本，提升效率和功率密度；二是追求更高母線電壓，以降低器件的導(dǎo)通電流和損耗，提升系統(tǒng)效率。

2000V SiC MOFET和Diode特別適用于1500V 光伏升壓電路（MPPT）。如下圖3所示，在升壓變換電路中，2000V SiC分立器件能簡(jiǎn)化電路拓?fù)?、減少元器件數(shù)量，降低總物料成本，同時(shí)讓應(yīng)用控制更簡(jiǎn)單：

圖3，升壓變換電路拓?fù)?/span>

對(duì)比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，除了上述優(yōu)勢(shì)，還進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，大幅提升了功率密度，如下圖4所示：

圖4，光伏應(yīng)用拓?fù)?/span>

（來源：瞻芯電子）