?4月2日下午，魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團隊在徐文匯總經(jīng)理的帶領(lǐng)下，赴山東大學新一代半導(dǎo)體材料研究院開展碳化硅（SiC）功率器件技術(shù)交流活動。雙方圍繞SiC肖特基二極管、MOSFET器件的研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用等展開深度研討，山東大學新一代材料研究院韓吉勝教授團隊的七位專家學者共同參與，共探產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新路徑。

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技術(shù)研討：聚焦碳化硅器件研發(fā)突破

雙方重點交流了超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術(shù)進展。魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團隊分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果，山東大學專家則從學術(shù)角度剖析了高頻、高效、高溫性能優(yōu)化方案。雙方一致認為，SiC功率器件憑借其耐高壓、低損耗特性，將成為未來電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)方向，而魯晶半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗與山東大學的科研實力為合作提供了強有力支撐。?

市場應(yīng)用：拓展新能源領(lǐng)域合作空間

魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團隊重點推介了SiC器件在新能源汽車、光伏儲能、充電樁等場景的應(yīng)用潛力。山東大學專家則針對高功率密度、長壽命等需求提出優(yōu)化建議。雙方認為，SiC技術(shù)的規(guī)模化應(yīng)用將顯著提升能源效率，降低碳排放，為“雙碳”目標提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。

產(chǎn)學研協(xié)同：加速成果轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)升級

活動明確了校企協(xié)同創(chuàng)新機制：魯晶半導(dǎo)體將依托山東大學新一代材料研究院平臺及人才資源，強化技術(shù)研發(fā)能力；山東大學借助企業(yè)產(chǎn)業(yè)資源與市場渠道，推動科研成果快速轉(zhuǎn)化。

雙方將以此次合作為起點，構(gòu)建“基礎(chǔ)研究+技術(shù)攻關(guān)+產(chǎn)業(yè)落地”全鏈條創(chuàng)新體系，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體自主可控。

未來展望：構(gòu)建長期合作生態(tài)

雙方達成深化合作協(xié)議，計劃聯(lián)合申報國家級科研項目，共建實驗室，并推動技術(shù)標準制定。魯晶半導(dǎo)體徐文匯總經(jīng)理表示：“此次合作是產(chǎn)學研深度融合的典范，我們將以市場需求為導(dǎo)向，加速技術(shù)迭代，打造國際競爭力。”山東大學新一代材料研究院韓教授團隊強調(diào)，校企合作是培養(yǎng)復(fù)合型人才、服務(wù)國家戰(zhàn)略的重要途徑。

此次交流標志著雙方在碳化硅功率器件制備和應(yīng)用領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步，未來將持續(xù)協(xié)同創(chuàng)新，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級與綠色轉(zhuǎn)型注入新動能。

（來源：魯晶芯城）