?納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK?功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境，重點(diǎn)確?？煽啃耘c耐高溫性能。目標(biāo)市場(chǎng)包括電動(dòng)汽車直流快充（DCFC）、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器與功率優(yōu)化器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、工業(yè)焊接及感應(yīng)加熱。
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全新的1200V SiCPAK?功率模塊系列，采用先進(jìn)環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)，通過(guò)隔絕濕氣入侵以承受高濕度惡劣環(huán)境，并通過(guò)降低功率與溫度變化引起的性能衰減以穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)更高的熱耐性。?
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在經(jīng)歷1000次熱沖擊測(cè)試（-40°C至+125°C）后，納微半導(dǎo)體SiCPAK?模塊的熱阻增加量比傳統(tǒng)硅膠填充殼體式模塊低5倍。此外，所有硅膠填充模塊在以上熱沖擊測(cè)試后均未通過(guò)隔離測(cè)試，而SiCPAK?環(huán)氧樹脂灌封模塊仍保持合格隔離等級(jí)。?
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憑借超過(guò)20年的碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位，納微半導(dǎo)體GeneSiC?獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)不僅可以提供業(yè)界領(lǐng)先的溫域性能，還能將損耗降低20%，同時(shí)運(yùn)行的溫度更低并具有更卓越的魯棒性，從而為系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠性奠定基礎(chǔ)。?
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“溝槽輔助平面柵”技術(shù)使得RDS(ON)相較于溫度的變化更穩(wěn)定，在更寬運(yùn)行范圍內(nèi)保持最低功率損耗，與競(jìng)品相比在高溫實(shí)際工況下RDS(ON)降低達(dá)20%。此外，所有GeneSiC?碳化硅MOSFET均具備已公布的100%全測(cè)雪崩能力（行業(yè)最高水平），短路耐受能力提升達(dá)30%，并具備便于并聯(lián)的嚴(yán)格閾值電壓分布。?
1200V SiCPAK?功率模塊內(nèi)置NTC熱敏電阻，提供4.6m?至18.5m?規(guī)格，支持半橋、全橋及3L-T-NPC電路配置，與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)壓接式模塊可實(shí)現(xiàn)引腳對(duì)引腳兼容。另可選配預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料（TIM）以簡(jiǎn)化組裝流程。
(來(lái)源：納微芯球)