天眼查顯示，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司“半導體光子晶體發(fā)光結構及其制備方法”專利公布，申請公布日為2025年3月7日，申請公布號為CN119581993A。

本發(fā)明提供一種半導體光子晶體發(fā)光結構及其制備方法，半導體光子晶體發(fā)光結構包括：半導體襯底層；位于所述半導體襯底層一側的有源層；位于所述有源層背離所述半導體襯底層一側的光子晶體層，所述光子晶體層包括第一半導體層、第二半導體層和保護層，所述第一半導體層中具有凹槽，所述凹槽自所述第一半導體層背離所述有源層的一側表面延伸至所述第一半導體層中，所述保護層位于所述凹槽的內(nèi)壁表面，所述第二半導體層位于相鄰的凹槽之間的所述第一半導體層背離所述有源層的一側表面且未延伸至所述凹槽中。半導體光子晶體發(fā)光結構的光場模式調(diào)控能力提高。