2025年4月29日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟編寫的《第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告（2023）》（以下簡稱“報告”）在全體成員積極參與下，在廣大專家支持把關下，重磅發(fā)布！

報告對2024年度國內外第三代半導體產(chǎn)業(yè)的政策環(huán)境變化、產(chǎn)品技術進展、產(chǎn)業(yè)及市場競爭等方面的進展進行了詳細總結分析，助力政府部門及企事業(yè)單位在第三代半導體領域的決策支撐。報告從形勢政策、市場應用、生產(chǎn)供給、企業(yè)格局、技術進展等五大方面進行分析，并對超寬禁帶半導體材料、專用裝備、標準等相關進展進行總結。???

?

?

?

總體而言，2024年，在新能源汽車、消費電子、人工智能、5G-A?等需求拉動下，國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)保持高增長態(tài)勢。其中，功率器件市場規(guī)模達到176億元，同比增長14.8%；射頻器件市場規(guī)模為108?億元，同比微增4.5%；LED?器件市場規(guī)模為784?億元，與去年基本持平。國內碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)能快速擴張，價格下滑明顯。晶圓制造能力大幅提高，國產(chǎn)SiC MOSFET?器件開始應用于新能源汽車主驅系統(tǒng)，SiC?模塊實現(xiàn)大批量供應。SiC龍頭企業(yè)市場占有率進一步提高，材料企業(yè)進入全球第一梯隊。GaN?功率電子產(chǎn)能利用率和產(chǎn)量快速提升，龍頭企業(yè)出貨量翻倍增長，居全球領先地位。2024年，國內?6?英寸SiC?襯底實現(xiàn)規(guī)?；┴洠??英寸逐步量產(chǎn)，12?英寸研發(fā)成功，溝槽型SiC MOSFET?芯片工藝流程貫通。6?英寸GaN?單晶襯底開始小批量生產(chǎn)，8英寸藍寶石基GaN?單晶實現(xiàn)厚膜生長。GaN?功率器件耐壓水平拓展至1200V-10kV，雙面散熱、驅動集成封裝產(chǎn)品持續(xù)推出。GaN?射頻異質集成技術成為熱點，面向移動終端的GaN?解決方案啟動部署。Micro-LED?紅光亮度提升，全彩化技術路線快速演進，紫外光源與探測、大功率激光器產(chǎn)業(yè)化能力提升。

展望2025年，在全球市場復蘇和國家“兩新”、“兩重”、“雙碳”等政策助力下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)將催生更多新增長點，并帶動功率及射頻電子產(chǎn)值增速達到?20%以上。

感謝聯(lián)相關專家、相關領導及會員單位對報告完成及聯(lián)盟工作的大力支持！報告電子版已發(fā)送到聯(lián)盟各會員單位郵箱，如有未收到的請與聯(lián)盟秘書處聯(lián)系。

聯(lián)系人：李娟?010-82388680 ?lijuan@casa-china.cn

（來源：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）