近日，中國電科46所超寬禁帶氮化鋁單晶材料在成核模式控制、傳質(zhì)路徑調(diào)控、應力抑制等關鍵核心技術方面取得重大突破，加速氮化鋁單晶材料的實用化進程。

氮化鋁單晶材料是新一代戰(zhàn)略性電子材料，是研制超高功率微波射頻器件和超短波長深紫外光電子器件的核心基礎，但是氮化鋁晶體生長及其襯底制備具有極高的技術壁壘。46所創(chuàng)新運用“揭榜掛帥”機制，積極布局超寬禁帶半導體材料研發(fā)，相繼實現(xiàn)高質(zhì)量氮化鋁單晶的穩(wěn)定制備。

氮化鋁單晶材料成功研制，將進一步豐富46所電子功能材料體系，為實現(xiàn)半導體材料的關鍵核心技術自主創(chuàng)新、打造原創(chuàng)技術策源地提供有力支撐，進一步提升集團公司在半導體材料領域的影響力和競爭力。