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2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇

（CASICON 2023）

尊敬的各有關(guān)單位：

第三代半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)、“東數(shù)西算”戰(zhàn)略和保障國(guó)家產(chǎn)業(yè)安全、經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的重要支撐。隨著5G、新能源汽車等市場(chǎng)發(fā)展，第三代半導(dǎo)體的需求規(guī)模保持高速增長(zhǎng)。特別是近兩年碳化硅、氮化鎵功率器件的采用在眾多市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，覆蓋可再生能源與儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電源、牽引和變速驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域，可帶來(lái)更小型、更輕量、更具經(jīng)濟(jì)效益的設(shè)計(jì)，并更高效率地實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換，從而賦能不計(jì)其數(shù)的新型清潔能源應(yīng)用，在全球朝向可持續(xù)電氣化轉(zhuǎn)型中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。我國(guó)目前在以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域已經(jīng)形成了完整的產(chǎn)業(yè)鏈，從材料、裝備及工藝技術(shù)等方面也均實(shí)現(xiàn)了部分國(guó)產(chǎn)化替代，占據(jù)了一定的市場(chǎng)份額，但在材料、工藝與裝備一體化、大規(guī)模量產(chǎn)能力、器件性能與穩(wěn)定性等方面與國(guó)際先進(jìn)水平仍存在一定差距，要實(shí)現(xiàn)碳化硅關(guān)鍵裝備及工藝技術(shù)完全的國(guó)產(chǎn)自主可控，仍需產(chǎn)業(yè)上下游各方加強(qiáng)協(xié)作，攜手攻克難關(guān)。

為強(qiáng)化自主科技創(chuàng)新，提升核心裝備國(guó)產(chǎn)化供給能力，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）、中南大學(xué)聯(lián)合組織籌辦，擬于5月5-7日在長(zhǎng)沙市舉辦“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”，會(huì)議圍繞 “碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高?？蒲性核砩钊胙杏懀瑪y手促進(jìn)國(guó)內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)組委會(huì)

2023年4月

》》組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

主辦單位

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)

承辦單位

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）

中南大學(xué)

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦單位

瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

中車時(shí)代電氣股份有限公司

......

》》主題方向

1、宏觀趨勢(shì)與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

·碳化硅全球發(fā)展趨勢(shì)、現(xiàn)狀及應(yīng)用前景；

·國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策分析、產(chǎn)業(yè)需求研判；

·國(guó)產(chǎn)裝備現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展痛點(diǎn)及未來(lái)展望；

·資金、人才、技術(shù)、市場(chǎng)等關(guān)鍵要素分析；

2、技術(shù)方向與產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)

·碳化硅晶體生長(zhǎng)、加工工藝及相關(guān)裝備技術(shù)；

·外延材料生長(zhǎng)、芯片制造等核心工藝技術(shù)及關(guān)鍵裝備

·封裝材料、工藝及裝備技術(shù)；

·氮化鎵、氧化鎵等新型半導(dǎo)體材料、工藝和裝備探索；

3、產(chǎn)業(yè)配套及供應(yīng)鏈

·襯底、外延、器件等設(shè)計(jì)軟件及檢測(cè)裝備；

·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝、裝備的協(xié)同優(yōu)化；

·產(chǎn)品性能/良率/可靠性等要素分析與改進(jìn)；

·生產(chǎn)流程控制、工藝優(yōu)化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新；

4、規(guī)模應(yīng)用與市場(chǎng)探索

·車用碳化硅/氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展；

·碳化硅功率器件技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景；

·產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求；

·市場(chǎng)動(dòng)力、核心競(jìng)爭(zhēng)力塑造與面臨挑戰(zhàn)。

》》時(shí)間地點(diǎn)

論壇時(shí)間：2023年5月5-7日

論壇地點(diǎn)：湖南·長(zhǎng)沙

》》日程安排(具體報(bào)告陸續(xù)更新中)

時(shí)間		主要安排
5月5日	09:00 13:00	報(bào)到&資料領(lǐng)取
	13:30 17:30	開(kāi)幕大會(huì)+合影
	18:00 21:00	歡迎晚宴
5月6日	09:00 12:00	分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)	分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體
	12:00 13:30	午餐&交流
	13:30 17:30	分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)	分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體
	18:30 20:30	晚餐&結(jié)束
5月7日	08:30 12:00	商務(wù)考察活動(dòng)&返程 （中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所或泰科天潤(rùn)或湖南三安半導(dǎo)體）
備注：僅供參考，以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

備注：詳細(xì)日程持續(xù)確認(rèn)&更新，最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)，敬請(qǐng)關(guān)注！

》》報(bào)告主題

報(bào)告主題安排

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)

第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國(guó)產(chǎn)化思考

碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

SiC器件和模塊的最新進(jìn)展

第三代半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)裝備現(xiàn)狀及展望

碳化硅涂層石墨盤技術(shù)

8英寸碳化硅單晶進(jìn)展

國(guó)產(chǎn)MBE 設(shè)備進(jìn)展

SiC襯底制備技術(shù)現(xiàn)狀、趨勢(shì)及工藝研究

SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求

SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備研發(fā)

Sic MOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

激光剝離設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

先進(jìn)碳化坦涂層技術(shù)

車用碳化硅技術(shù)進(jìn)展

銀燒結(jié)設(shè)備技術(shù)

SiC高溫?zé)崽幚碓O(shè)備及工藝應(yīng)用

激光退火技術(shù)

SiC外延裝備及技術(shù)進(jìn)展

碳化硅離子注入設(shè)備技術(shù)

SiC晶體生長(zhǎng)、加工技術(shù)和裝備

拋光裝備國(guó)產(chǎn)化之路

8寸碳化硅外延制備技術(shù)

8寸碳化硅襯底技術(shù)進(jìn)展

第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)裝備與工藝自動(dòng)化

化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案

GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展

Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究

GaN晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光加工

第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備及其智能化

激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

碳化硅單晶生長(zhǎng)用石墨技術(shù)?

碳化硅缺陷檢測(cè)

碳化硅基氮化鎵HEMT技術(shù)

第三代半導(dǎo)體器件工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化探討

碳化硅半導(dǎo)體功率器件測(cè)試方案

碳化硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求

光隔離探頭測(cè)試技術(shù)

電子特氣在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用

車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件技術(shù)解析

SiC單晶制備與裝備研發(fā)進(jìn)展

半導(dǎo)體電子特氣國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

碳化硅IGBT 技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景

車用氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展

第三代半導(dǎo)體二手設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)狀與存在問(wèn)題

硅基氮化鎵MOCVD設(shè)備技術(shù)進(jìn)展及趨勢(shì)

圓桌討論：裝備國(guó)產(chǎn)化？存在的問(wèn)題&發(fā)展建議?

備注：以上報(bào)告主題僅供參考，報(bào)告嘉賓正陸續(xù)確認(rèn)中，后續(xù)將集中公布。

》》注冊(cè)報(bào)名：

1、注冊(cè)費(fèi)2500元，4月29日前注冊(cè)報(bào)名2200元（含會(huì)議資料袋，5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預(yù)定中，請(qǐng)具體請(qǐng)咨詢。

2、交通費(fèi)、住宿費(fèi)等自理。

》》繳費(fèi)方式

1、通過(guò)銀行匯款

開(kāi)戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

2、線上繳費(fèi)

備注：在線注冊(cè)平臺(tái)注冊(cè)請(qǐng)務(wù)必填寫(xiě)正確，以便后續(xù)查詢及開(kāi)具發(fā)票。

3、現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（接受現(xiàn)金和刷卡）

4、收款單位：本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司”作為會(huì)議唯一收款單位。

》》報(bào)告及論文發(fā)表聯(lián)系：

Frank 賈：18310277858，jiaxl@casmita.com

》》會(huì)議報(bào)名/參展/贊助咨詢：

為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)充分展示交流，組委會(huì)開(kāi)辟出少量展示席位，數(shù)量有限，預(yù)訂從速。詳情可咨詢會(huì)議聯(lián)系人。

賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士：13681329411，zhangww@casmita.com

張先生：18601159985，zhangtk@casmita.com

?》》協(xié)議酒店

會(huì)議酒店： 長(zhǎng)沙圣爵菲斯大酒店（湖南省長(zhǎng)沙市開(kāi)福區(qū)三一大道471號(hào)）

協(xié)議房?jī)r(jià)：

·五星酒店房間：大/ 雙 床房 含雙早? 468元/晚

·三星酒店房間：大/雙 床房 含雙早? 258元/晚

（備注：三星酒店單獨(dú)用餐區(qū)用早餐，不能享用酒店健身房和游泳池，具體可咨詢酒店聯(lián)系人）

預(yù)訂聯(lián)系人：李子都 圣爵菲斯大酒店?duì)I銷經(jīng)理

電話:14726987349

郵箱:136379346@qq.com

備注：預(yù)定客房時(shí)提“碳化硅”或“半導(dǎo)體會(huì)議”均可享受協(xié)議價(jià)格。