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揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利,提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

發(fā)表于:2024-09-12 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法“,公開號 CN202410712262.4,申請日期為 2024 年 6 月。

專利摘要顯示,一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法,涉及半導體技術領域。通過改變無機鈍化層的組成結(jié)構(gòu),設計成了 SiO2、SiN、SiO2 三明治的結(jié)構(gòu),其中每層 SiO2 的厚度不小于 200nm,SiN 的厚度不小于 600nm,上層為有機鈍化層。類似三明治的三層結(jié)構(gòu)使得器件在高壓的 H3TRB 可靠性項目中能夠更好得到保護,在高壓的 H3TRB 項目中,隨著項目的進行,三層結(jié)構(gòu)的無機鈍化層可以保證器件在實驗過程中更好的隔絕水汽,保護碳化硅外延層,從而提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性。