北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司(集創(chuàng)北方)與國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心(國(guó)創(chuàng)中心)在北京簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議。
對(duì)北京市認(rèn)定機(jī)構(gòu)2024年認(rèn)定報(bào)備的第三批集成電路等領(lǐng)域政策試點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)備案的公告根據(jù)《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》(國(guó)科
韓國(guó)政府已提前啟動(dòng)龍仁半導(dǎo)體國(guó)家工業(yè)園區(qū)的建設(shè),該項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于 2026 年 12 月開(kāi)工
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(車規(guī)芯片測(cè)試與評(píng)價(jià))獲批建設(shè)。
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,廣州華瑞升陽(yáng)投資有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為寬禁帶半導(dǎo)體器件的專利,公開(kāi)號(hào) CN 119170634 A,申請(qǐng)日期為202
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的專利,公開(kāi)號(hào) CN 119153
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際有限合伙公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管的專利,公開(kāi)號(hào) CN
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種高一致性圖形化襯底的制備方法、圖形化襯底和LED外延
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為檢測(cè)晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置的專利,公開(kāi)號(hào) C
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江睿熙科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專利,公開(kāi)號(hào) CN 119134035 A,申請(qǐng)日
關(guān)于印發(fā)《標(biāo)準(zhǔn)提升引領(lǐng)原材料工業(yè)優(yōu)化升級(jí)行動(dòng)方案(2025—2027年)》的通知
格力電器董事長(zhǎng)董明珠在《珍知酌見(jiàn)》 欄目里與新浪財(cái)經(jīng)CEO鄧慶旭對(duì)話時(shí)透露,格力電器在芯片研發(fā)領(lǐng)域取得重大突破。
科技部黨組書(shū)記、部長(zhǎng)陰和俊主持召開(kāi)黨組會(huì),傳達(dá)學(xué)習(xí)中央經(jīng)濟(jì)工作會(huì)議精神,研究部署貫徹落實(shí)工作。
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局依法對(duì)英偉達(dá)開(kāi)展立案調(diào)查。
株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司發(fā)生工商變更,新增國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司
北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、納光電子前沿科學(xué)中心王新強(qiáng)教授與北京大學(xué)電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)室王濤高級(jí)工程師探測(cè)到褶皺二維氮化鎵(GaN)的聲子行為。
“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)”上,深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB:特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報(bào)告,分享了國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式,包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開(kāi)發(fā)體系、技術(shù)路線等。
半導(dǎo)體行業(yè)作為高新技術(shù)的代表,得到了國(guó)家政策的大力支持和各地政府的積極投資。
商務(wù)部印發(fā)《支持蘇州工業(yè)園區(qū)深化開(kāi)放創(chuàng)新綜合試驗(yàn)的若干措施》。
“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”技術(shù)分會(huì)上,香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室主任、教授、高武半導(dǎo)體(香港)有限公司創(chuàng)始人俞捷,小米通訊技術(shù)有限公司高級(jí)硬件研發(fā)工程師孫躍,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰,西安電子科技大學(xué)教授薛軍帥,深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)張新川,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連,九峰山實(shí)驗(yàn)室熊鑫,江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士劉濤,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所張國(guó)祥等嘉賓們帶來(lái)精彩報(bào)告
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北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會(huì)關(guān)于印發(fā) 《北京市技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)及技術(shù)經(jīng)理人登記辦法》的通知
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財(cái)政部 稅務(wù)總局 科技部關(guān)于加大支持科技創(chuàng)新稅前扣除力度的公告
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北京:發(fā)布<2023年北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金實(shí)施指南>的通知(征求意見(jiàn)稿)》公開(kāi)征集意見(jiàn)的通知
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