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鎵仁半導(dǎo)體在超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得重大突破

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽(yáng)投資有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為寬禁帶半導(dǎo)體器件的專利，公開號(hào) CN 119170634 A，申請(qǐng)日期為202

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI團(tuán)隊(duì)和南京電子研究所超寬禁帶半導(dǎo)體研究團(tuán)隊(duì)合作，在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。

期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I”分會(huì)上，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報(bào)告，討論超寬帶隙半導(dǎo)體的研究狀況和主要問(wèn)題，分享了實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)近來(lái)在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。

論壇期間的“功率模塊與電源技術(shù)應(yīng)用峰會(huì)”上，天津大學(xué)教授薛凌霄、小鵬汽車功率系統(tǒng)總監(jiān)陳皓、瑞薩半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體高級(jí)總監(jiān)嚴(yán)啟南、易能時(shí)代科技有限公司董事長(zhǎng)兼CEO蘇昕、納微半導(dǎo)體應(yīng)用總監(jiān)李賓、長(zhǎng)城電源技術(shù)有限公司深圳研發(fā)中心副總經(jīng)理蔡磊、浙江大學(xué)副研究員閆海東、派恩杰半導(dǎo)體(浙江)有限公司應(yīng)用主任工程師雷洋等專家們帶來(lái)精彩報(bào)告，共同探討功率模塊與電源技術(shù)應(yīng)用的最新進(jìn)展。

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新

西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授張進(jìn)成將出席論壇，并將帶來(lái)《高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進(jìn)展》的大會(huì)報(bào)告。

北京大學(xué)教授、理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波將出席論壇，并將帶來(lái)《基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件》的大會(huì)報(bào)告，敬請(qǐng)期待！

IFWS的重要分會(huì)之一的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會(huì)I”最新報(bào)告日程正式出爐。分會(huì)將于11月20日在蘇州國(guó)際博覽中心G館 ? G106召開，誠(chéng)摯邀請(qǐng)業(yè)界同仁同聚！

研究背景-Ga?O? 作為新興超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有約 4.9 eV 的準(zhǔn)直接帶隙，其光響應(yīng)峰值正好落在日盲紫外波段，是制備日盲紫

2024年6月21至23日，“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在山東濟(jì)南召開，北京大學(xué)教授、理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波受邀將出席會(huì)議，并帶來(lái)《AlN單晶襯底和外延薄膜的制備》的大會(huì)主旨報(bào)告

中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所（以下簡(jiǎn)稱寧波材料所）張文瑞研究員、郭煒研究員長(zhǎng)期招聘博士后，招聘方向?yàn)檠趸?、氮化?/p>

寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)快速崛起，未來(lái)10年將對(duì)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。寬禁帶半導(dǎo)體是全球高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵領(lǐng)域之

隨著高性能、高功率、高頻率等需求的不斷擴(kuò)展以及技術(shù)的不斷提升，超寬禁帶半導(dǎo)體呈現(xiàn)出越來(lái)越明顯的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)領(lǐng)域都具有

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有諸多優(yōu)勢(shì)，碳化硅電力電子器件優(yōu)異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機(jī)節(jié)

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。其中，氧

氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛用于信息化社會(huì)、人工智能、萬(wàn)物互聯(lián)、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)、現(xiàn)代醫(yī)療、智能交通、國(guó)防

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的

4月8日，2023特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展常州峰會(huì)舉行。會(huì)上，寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心常州分中心揭牌，龍城芯谷項(xiàng)目啟動(dòng)。常州

核心提示：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：近日，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組在國(guó)際權(quán)威期刊《Journal of Applied Physics》上，以A review of ther