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近期，寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團(tuán)隊(duì)在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

4月16日，美國(guó)Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會(huì)社（簡(jiǎn)稱瑞薩電子）達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性能，在藍(lán)綠激

納微半導(dǎo)體今日宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過(guò)AEC-Q100和AEC-Q101兩項(xiàng)車規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車市

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法 痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀國(guó)標(biāo)（北京）檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司劉紅一、

英諾賽科(02577.HK)公告，公司發(fā)布了自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，該款產(chǎn)品憑藉寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司取得一項(xiàng)名為種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法的專利，授權(quán)

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，鎵特半導(dǎo)體科技（銅陵）有限公司取得一項(xiàng)名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器的專利，授權(quán)公告號(hào)CN

氮化鎵（GaN）正在重塑半導(dǎo)體行業(yè)游戲規(guī)則。近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室已從材料、器件到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用取得一系列突破性成果。九峰山實(shí)驗(yàn)室8英

近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)在全球首次實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前

九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次重磅發(fā)布！在顛覆性材料、器件及設(shè)計(jì)創(chuàng)新、系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用創(chuàng)新方面，重磅發(fā)布國(guó)際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）、全國(guó)首個(gè)100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺(tái)、動(dòng)態(tài)遠(yuǎn)距離無(wú)人終端無(wú)線能量傳輸完成示范驗(yàn)證。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器的專利，公開號(hào)CN 119627617 A，申

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項(xiàng)名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權(quán)公告號(hào) CN 222563696 U，

3月10日，上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱新微半導(dǎo)體）正式推出650V硅基氮化鎵增強(qiáng)型（E-mode）功率工藝代工平臺(tái)。該平臺(tái)憑借高頻

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項(xiàng)名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權(quán)公告號(hào) CN 222563696 U，

近日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”在重慶召開。期間，“分論壇二：氮化鎵及其他功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用“上，浙江大學(xué)教授、杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張輝，帶來(lái)了“大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進(jìn)展”主題報(bào)告。

2月28日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”，分論壇二：氮化鎵及其他功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用”，圍繞氮化鎵、氧化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用，氮化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用，氮化鎵、氧化鎵及金剛石功率半導(dǎo)體制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備等熱點(diǎn)主題與方向深入分享探討。

近日，浙江大學(xué)集成電路學(xué)院柯徐剛研究員團(tuán)隊(duì)，提出了一款工業(yè)級(jí)可量產(chǎn)、應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵的高效

2025年2月24日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)1項(xiàng)硅襯底