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得益于高功率、高頻率和高溫環(huán)境下的眾多卓越性能，氮化鎵功率電子器件技術(shù)在具有廣闊的發(fā)展前景。技術(shù)發(fā)展具有持續(xù)的創(chuàng)新和應用

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：11月9日，廣東致能科技有限公司（以下簡稱致能科技）完成首個1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺。在滿足1200V系

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應用

隨著5G、碳中和、AI時代的來臨，芯片市場需求激增，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的化合物半導體市場

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質(zhì)半導體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質(zhì)半導體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料正迎來廣闊的發(fā)展前景，成為全球的機會和關(guān)注焦點。碳化硅作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

新科技時代背景下，人工智能、能源環(huán)保、自動駕駛等需求驅(qū)動下，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料迎來廣闊的發(fā)展前景

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進半導體器件是全球智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的重要支撐力量，其在光電子，射頻

硅基氮化鎵橫向功率器件因其低比導通電阻、高電流密度、高擊穿電壓和高開關(guān)速度等特性，已成為下一代高密度電力系統(tǒng)的主流器件之

科學技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在開幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優(yōu)異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有巨大的市場。科技部一直高度重視第三代半導體的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從“十五”期間開始給予了長期持續(xù)支持，建立了從材料、器件到應用的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力。下一步還將與各地方溝通協(xié)作，加強統(tǒng)籌謀劃和技術(shù)布局，加強人才培養(yǎng)，加強國際合作，推動產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)有機銜接，強化以企業(yè)為主體、產(chǎn)學研用協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài)。

氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體材料廣泛用于信息化社會、人工智能、萬物互聯(lián)、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)、現(xiàn)代醫(yī)療、智能交通、國防

與第一代半導體（如硅、鍺）和第二代半導體（如砷化鎵、銻化銦）材料相比，以氧化鋅（ZnO）、氮化鎵（GaN）、硫化鎘（CdS）、碳

隨著新能源汽車的普及及5G的商用，量產(chǎn)新能源車型中搭載碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化鎵，催生了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從

智能駕駛時代下第三代半導體材料的技術(shù)進步給電動車電驅(qū)電控系統(tǒng)和電源系統(tǒng)帶來的新的技術(shù)進展。

以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的

氮化鎵(GaN)是一種很有前途的硅替代半導體，廣泛應用于光電子和電子技術(shù)。然而，GaN表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制

核心提示：由深圳智芯微電子科技有限公司牽頭制定，遵循CASAS（第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟）標準制定流程，經(jīng)過標準起草小組會議討論

　　香港特區(qū)政府12月22日發(fā)表《創(chuàng)新科技發(fā)展藍圖》，提出推動新型工業(yè)化，具體列舉了半導體芯片及新能源汽車產(chǎn)業(yè)。香港創(chuàng)新科技

據(jù)外媒報道，工程研究人員發(fā)明了新型高功率電子設備，比以前的技術(shù)更節(jié)能。這種裝置通過一種以受控方式摻雜氮化鎵（GaN）的獨特