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1月10日，杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)杰立方）在大灣區(qū)（深圳）工商界高峰論壇及交流會(huì)2025上，與香港工業(yè)總會(huì)（FHK

天眼查顯示，深圳基本半導(dǎo)體有限公司碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法專(zhuān)利公布，申請(qǐng)公布日為2024年11月29日，申請(qǐng)公布號(hào)為

天眼查顯示，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備專(zhuān)利公布，申請(qǐng)公布日為2024年11月15日，申

該調(diào)查將初步評(píng)估中國(guó)的行為、政策和做法對(duì)碳化硅襯底或其他用作半導(dǎo)體制造投入的晶片生產(chǎn)的影響。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào) CN 119153

武漢金信新材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“金信新材料”）芯片用第三代半導(dǎo)體8英寸碳化硅晶錠項(xiàng)目完成研發(fā)，通過(guò)了行業(yè)專(zhuān)家驗(yàn)證

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，根據(jù)破產(chǎn)資訊網(wǎng)披露的《北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司管理人公開(kāi)選聘審計(jì)、評(píng)估機(jī)構(gòu)的公告》顯示，北京市

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天岳先進(jìn)將繼續(xù)秉持“先進(jìn) 品質(zhì) 持續(xù)”的理念，堅(jiān)持自主創(chuàng)新，品質(zhì)引領(lǐng)，為碳化硅行業(yè)的廣闊發(fā)展貢獻(xiàn)天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I”分會(huì)上，加拿大多倫多大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系教授吳偉東做了“SiC 功率 MOSFET老化檢測(cè)智能柵極驅(qū)動(dòng)器”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展。

合肥賽美泰克科技有限公司在新站高新區(qū)開(kāi)業(yè)運(yùn)營(yíng)。

安森美（onsemi，納斯達(dá)克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)

江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司近日完成了新廠房的整體搬遷

“碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I”分會(huì)上，專(zhuān)家們齊聚，共同探討碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)的發(fā)展。

期間，“碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會(huì)上，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備”的主題報(bào)告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設(shè)計(jì)優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結(jié)果等內(nèi)容。

”碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I“上，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超做了”功率器件封裝用的高性能AlN陶瓷基板及金屬化技術(shù)“的主題報(bào)告。分享了面向功率器件封裝用陶瓷基板的發(fā)展現(xiàn)況，以及博睿陶瓷基板研究進(jìn)展等內(nèi)容。

天岳先進(jìn)攜全系列碳化硅襯底產(chǎn)品精彩亮相，并隆重發(fā)布了行業(yè)領(lǐng)先的300mm碳化硅襯底產(chǎn)品。

天科合達(dá)官微宣布，公司“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目”開(kāi)工儀式在北京順利舉行。

上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心啟用儀式在車(chē)墩鎮(zhèn)舉行。