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2月26-28日，”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。泰克科技（中國）有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨A23號展位參觀交流、洽談合作。

48所成功實現(xiàn)第三代半導體SiC外延設備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計30臺套。

南沙構建第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈集聚生態(tài)

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是我國制造業(yè)轉型升級的驅動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉，我國

英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者針對數(shù)據(jù)中心領域，開發(fā)了多系列分立和集成氮化鎵產(chǎn)品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。

近日，江蘇印發(fā)《關于支持南京江北新區(qū)高質(zhì)量建設的意見》（以下簡稱：《意見》），以貫徹落實國家關于促進國家級新區(qū)高質(zhì)量建設

1月10日，杰立方半導體（香港）有限公司（以下簡稱杰立方）在大灣區(qū)（深圳）工商界高峰論壇及交流會2025上，與香港工業(yè)總會（FHK

隨著三代半廠房二期項目主體結構封頂，中關村順義園內(nèi)的三代半特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)發(fā)展基石再夯實。記者了解到，該園區(qū)初步形成了從裝備

今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導體第一股12月30日，英諾賽科

科瑞半導體實施功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈倍增計劃，推進第三代半導體等功率器件封測產(chǎn)線的升級，于6月投資啟動實施一期項目IGBT、SiC第三代半導體基礎工藝封測產(chǎn)線建設，擴建半導體功率器件框架生產(chǎn)線，主要應用于充電樁、新能源汽車等領域。

武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)，通過了行業(yè)專家驗證

“第三代半導體標準與檢測研討會”上，嘉賓們齊聚共同探討第三代半導體標準與檢測相關的最新進展。

在第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇重要產(chǎn)業(yè)峰會上，眾多專家學者齊聚探討Mini/Micro-LED技術產(chǎn)業(yè)應用最新趨勢。

期間“第三代半導體標準與檢測研討會”上，深圳平湖實驗室失效分析首席專家何光澤做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術與典型應用”的主題報告，結合第三代半導體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈與分析檢測應用之關聯(lián)，第三代半導體功率器件分析流程，具體介紹了無損分析，電性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–結構與缺陷觀察等內(nèi)容。

商務部印發(fā)《支持蘇州工業(yè)園區(qū)深化開放創(chuàng)新綜合試驗的若干措施》。

2024年度中國第三代半導體技術十大進展的重磅揭曉，這些進展不僅代表了行業(yè)的技術前沿，也預示著產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新方向，受到了與會代表的廣泛關注和熱烈討論。

第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長、北京大學理學部副主任、特聘教授沈波帶來了“基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件”的主題報告，分享了藍寶石襯底上AlN的外延生長及其器件研制、Si襯底上GaN的外延生長及其器件研制的最新研究進展。

11月25日，按照第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過2項氮化鋁晶片

本次論壇通過大會、230余個報告，16場主題技術分論壇、5場熱點產(chǎn)業(yè)峰會、4場強芯沙龍會客廳主題對話，近30個專題活動，以及先進半導體技術應用創(chuàng)新展、POSTER展示交流等多種形式的活動，全面深入探討國內(nèi)外新形勢下半導體照明與第三代半導體產(chǎn)業(yè)的技術進展、機遇與挑戰(zhàn)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設。