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2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、第六屆先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2024）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。目前，論壇正有序推進中，征文已超200篇，最新一批60+嘉賓報告公布。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。朗明納斯將出席此次盛會，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，參觀交流、洽談合作。

11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹將出席論壇，并帶來“用于病毒滅活的藍寶石生長230nm遠紫外光功率模組的開發(fā)研究”的大會報告。

11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。瑞典皇家科學(xué)院院士、瑞典皇家工程院院士、隆德大學(xué)教授Lars Samuelson將出席論壇，并將帶來“實現(xiàn)超小型全氮化物Micro-LED的納米級材料科學(xué)技術(shù)”的大會報告。

據(jù)方正微電子官微消息，10月16日，深圳方正微電子有限公司副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華在發(fā)言中提到，方正微電子作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)

近日從山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)獲悉，山西省大力實施的全產(chǎn)業(yè)鏈培育工程第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈強鏈工程之一山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基

9月14日，水土保持網(wǎng)披露了長城無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡稱芯動半導(dǎo)體）水土保持設(shè)施驗收鑒定書。文件顯示，芯動半導(dǎo)

中電四公司成功中標北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目（1#生產(chǎn)廠房等12項）”，中標金額：1159022898.60元。

國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)——天科合達摘得北方芯谷新建區(qū)第一塊工業(yè)用地，將投資5.2億元建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項目，標志著北方芯谷新建區(qū)建設(shè)全面啟動。

近日，北京市經(jīng)濟和信息化局發(fā)布了北京市第六批專精特新小巨人企業(yè)和第三批專精特新小巨人復(fù)核通過企業(yè)名單。順義區(qū)第三代半導(dǎo)體

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。

導(dǎo)體項目、安力科技第三代半導(dǎo)體及大硅片襯底研磨液項目、全芯微電子半導(dǎo)體高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目、遼寧恩微芯片封裝測試項目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化鋁項目，日本航空電子高端電子元器件項目、露笑科技第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目和大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項目迎來新進展。

安力科技（蘇州）有限公司落成儀式在保稅區(qū)泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園舉行。

萬業(yè)企業(yè)與國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略協(xié)議

第三代半導(dǎo)體在供應(yīng)鏈及應(yīng)用端已逐漸成熟，市場何時會引爆？

2024年8月8日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過1項GaN HEM

2024年8月8日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過2項SiC MOS

據(jù)報道，7月30日，香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司簽署合作協(xié)議，將于香港科學(xué)園內(nèi)設(shè)立全香港首個第三代半導(dǎo)體氮化

近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊在藍寶石基增強型e-GaN（氮化鎵）

今年，國際第三代半導(dǎo)體論壇與中國國際半導(dǎo)體照明論壇于11月18-21日在蘇州國際博覽中心舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。