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2025年4月17日，捷捷微電披露接待調(diào)研公告，公司于4月16日接待博時基金、東北電子、東方基金、國聯(lián)基金管理、國信證券等48家機構(gòu)

朗峰新材料納米晶粉與納米晶器件項目、準芯半導體先進6英寸硅基工業(yè)級功率半導體芯片項目、大道空天高新科技（內(nèi)蒙古）有限公司無人機研發(fā)制造項目集中開工儀式在準格爾經(jīng)濟開發(fā)區(qū)大路產(chǎn)業(yè)園舉行。

環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）基板的價格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場反彈仍不確定。

華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線第一片晶圓成功下線！

百立新半導體6英寸MEMS晶圓制造線項目備案手續(xù)已批復，項目建設周期為2024年至2026年。

預計今年二季度將建成國內(nèi)領先的特色工藝晶圓生產(chǎn)線，并實現(xiàn)整線通線，進行試生產(chǎn)。

據(jù)順義科創(chuàng)官微披露消息，近日，瑞能微恩半導體（北京）有限公司廠房項目已完成全部施工內(nèi)容，擴建工程已通過竣工驗收。據(jù)悉，瑞

11月6日，北一半導體科技有限公司（以下簡稱北一半導體）在其官微宣布其晶圓廠喜封金頂。據(jù)介紹，北一半導體投資20億元在穆棱經(jīng)

西安電子科技大學郝躍院士課題組張進成教授、李祥東教授團隊與松山湖材料實驗室王新強教授、袁冶副研究員團隊，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關

9月11日晚，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱鎵仁半導體）宣布，公司今年8月在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進展，成功研制超

安芯電子車規(guī)級6英寸晶圓設計制造項目、淄博芯材集成電路封裝載板項目、晶能微電子車規(guī)級半導體封測基地一期項目、民翔半導體存儲項目、河南芯盛半導體封測項目、冠石半導體光掩模版項目迎來新進展

合盛硅業(yè)董事&合盛新材料總經(jīng)理浩瀚表示,合盛新材從2018年開始正式進軍碳化硅產(chǎn)業(yè),目前公司已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶體生長、襯底加工以及芯片外延等全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù),突破關鍵材料(多孔石墨、涂層材料)和裝備的技術(shù)壁壘,6英寸襯底和外延片已得到國內(nèi)多家下游器件客戶的驗證,8英寸襯底研發(fā)進展順利。

投資約20億元，年產(chǎn)120萬片6英寸功率半導體特色工藝晶圓產(chǎn)線9月底試生產(chǎn)

近日，泰科天潤披露了最新6英寸SiC電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)境影響報告表。文件顯示，泰科天潤6英寸碳化硅電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項

近日，據(jù)湖北新聞透露，長飛先進武漢基地項目預計今年6月封頂，明年7月投產(chǎn)，達產(chǎn)后預計可年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶片及外延片、年產(chǎn)

該項目為廣東省2022年和2023年重點建設項目、深圳市2022年和2023年重大項目，是深圳加快第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要布局。

2英寸碳化硅單晶襯底、4英寸碳化硅單晶襯底、6英寸碳化硅單晶襯底河北同光半導體股份有限公司（以下簡稱同光）自成立以來，不斷

9月6日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在南京市江寧開發(fā)區(qū)舉行。國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項目竣工投產(chǎn)。國家第

科友半導體宣布，以其自主設備和技術(shù)研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破，達到32.146mm，業(yè)內(nèi)領先。

山東國宏中能年產(chǎn)11萬片碳化硅襯底片項目作為省優(yōu)選和市、區(qū)重點項目，總投資6.9億元，分兩期建設，將生產(chǎn)4英寸及6英寸碳化硅襯底片。