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4月8日，2023特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展常州峰會(huì)舉行。會(huì)上，寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心常州分中心揭牌，龍城芯谷項(xiàng)目啟動(dòng)。常州

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，湖南省發(fā)改委發(fā)布2023年省重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目名單，共鋪排項(xiàng)目324個(gè)，總投資21342.5億元，年度計(jì)劃投資4616.8

3月27日上午，市重點(diǎn)工程泰科天潤(rùn)總部項(xiàng)目舉行開工奠基儀式。泰科天潤(rùn)總部項(xiàng)目位于中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，規(guī)劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設(shè)。項(xiàng)目建成后，將有效帶動(dòng)順義區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)，將于2023年7月19-21日，再度亮相南京國(guó)際博覽中心。

高新科技領(lǐng)域是國(guó)家綜合實(shí)力的體現(xiàn)，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)正在獲得前所未有的重視和發(fā)展機(jī)遇，而作為我國(guó)最大的功率半導(dǎo)體器件制造商之

3月15日，火炬工業(yè)集團(tuán)與深圳愛科思達(dá)科技有限公司（下稱愛科思達(dá)）舉行智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目簽約儀式。愛科思達(dá)公司成

近日，從順義科創(chuàng)集團(tuán)獲悉，入駐企業(yè)北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國(guó)內(nèi)首批掌握第四代半導(dǎo)體4英

提前布局、抓住先機(jī)，北京經(jīng)開區(qū)搶占第三代半導(dǎo)體制高點(diǎn)

長(zhǎng)治高新區(qū)紫外半導(dǎo)體光電創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集群入選全國(guó)試點(diǎn)

智能駕駛時(shí)代下第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)進(jìn)步給電動(dòng)車電驅(qū)電控系統(tǒng)和電源系統(tǒng)帶來的新的技術(shù)進(jìn)展。

當(dāng)下，手機(jī)、筆記本電腦等移動(dòng)終端，是許多人必不可少的電子產(chǎn)品。充電 5 分鐘、通話 2 小時(shí)即是大家耳熟能詳?shù)囊痪鋸V告詞，也體

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬

2月24日，2021年度湖南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)召開。會(huì)議表彰了2021年度湖南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)，共有授獎(jiǎng)項(xiàng)目（團(tuán)隊(duì)、人選）293項(xiàng)，其中杰

知名咨詢機(jī)構(gòu)德勤今天發(fā)布的《2023科技、傳媒和電信行業(yè)預(yù)測(cè)》報(bào)告預(yù)計(jì)，2023年底，全球投資5G獨(dú)立組網(wǎng)的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商數(shù)量將會(huì)

?第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）通過在全球范圍內(nèi)集成和共享創(chuàng)新資源，構(gòu)建以市場(chǎng)為牽引，研發(fā)、產(chǎn)業(yè)、資本深度融合

近日，美國(guó)最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料公司公布了其上季度財(cái)報(bào)，并預(yù)計(jì)在汽車和工業(yè)芯片制造設(shè)備的強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，公司在下一財(cái)季仍可以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁的銷售數(shù)據(jù)。

單片三維集成是集成電路在后摩爾時(shí)代的重要發(fā)展方向，存儲(chǔ)與邏輯的單片集成可以大幅提升系統(tǒng)的帶寬與能效，是解決當(dāng)前集成電路領(lǐng)

2月15日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布嚴(yán)正聲明：據(jù)海外媒體報(bào)道，美國(guó)、荷蘭、日本三國(guó)政府達(dá)成協(xié)議，將對(duì)中國(guó)芯片制造施加新的設(shè)備

半導(dǎo)體發(fā)光器件是固態(tài)顯示與照明技術(shù)的共同基礎(chǔ)。近年來，隨著人們對(duì)不同類型的發(fā)光器件的深入研究，新型顯示與照明技術(shù)得到了相

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬