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作為IFWS的重要技術(shù)分會(huì)之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會(huì)最新報(bào)告日程正式出爐！

作為IFWS的重要分會(huì)之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會(huì)最新報(bào)告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室、高武半導(dǎo)體，小米通訊技術(shù)，匯芯通信/國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子，能訊高能半導(dǎo)體，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，九峰山實(shí)驗(yàn)室，江南大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的專家們分享精彩主題報(bào)告。

德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的DFN封裝形式的Gan HEMT器件實(shí)現(xiàn)了1200V高耐壓，并且展現(xiàn)出了極低的界面電容和優(yōu)良的熱阻 ，極快的開關(guān)速度，同時(shí)克服了氮化鎵器件容易發(fā)生的電流崩塌問題。測(cè)試結(jié)果顯示各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，意味著其產(chǎn)品在性能、質(zhì)量和可靠性方面具備優(yōu)勢(shì)，有更強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會(huì)津的工廠已開始生產(chǎn)基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體。隨著會(huì)津工廠的投產(chǎn)，加上德州

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了詳盡的測(cè)試

當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發(fā)出全球首款300毫米功率氮化鎵（GaN）晶圓技術(shù)，并率先在

據(jù)報(bào)道，7月30日，香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司簽署合作協(xié)議，將于香港科學(xué)園內(nèi)設(shè)立全香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化

2024年7月25日，由浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心牽頭起草的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 34202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子

近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN（氮化鎵）

天眼查顯示，大連理工大學(xué)氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年3月26日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117761126A

進(jìn)入21世紀(jì)以來，以氮化鎵、碳化硅、氧化鎵、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料開始初露頭角。

深圳大學(xué)材料學(xué)院劉新科課題組成功在氮化鎵單晶襯底上外延了具有p型導(dǎo)電特性的高質(zhì)量連續(xù)的MoxRe1-xS2薄膜，制備了一個(gè)完全垂直的p-2D/GaN異質(zhì)光電二極管。器件具有突出的光開關(guān)比（> 106）和極高的光探測(cè)率（6.13×1014），實(shí)現(xiàn)了紫外到可見、近紅外區(qū)域的寬光譜檢測(cè)。

這個(gè)問題促使香港科技大學(xué)和中國(guó)其他三所機(jī)構(gòu)的16名研究人員組成的團(tuán)隊(duì)不斷思考。經(jīng)過多年努力，他們終于成功制造出一種晶體管，他們稱之為混合場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HyFET）。

GaN技術(shù)正處于一個(gè)充滿機(jī)遇的階段，其發(fā)展前景十分廣闊。盡管相較于硅或GaAs，GaN仍是一項(xiàng)相對(duì)年輕的技術(shù)，但其進(jìn)步速度之快令人

太原理工大學(xué)周兵課題組和武漢大學(xué)袁超課題組合作，先后在國(guó)際權(quán)威期刊《Materials Characterization》和《Diamond & Related Materials》上，發(fā)表研究論文。

據(jù)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項(xiàng)

近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱中科重儀）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延

2023年11月28日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國(guó)際會(huì)議中心盛大開幕。

氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga