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以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進半導(dǎo)體器件是全球智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的重要支撐力量，其在光電子，射頻

2023年7月26-28日，2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇將于西安召開。西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院在讀博士研究生王逸飛

GaN基HEMTs因其在高壓、大功率、高溫等領(lǐng)域的應(yīng)用前景而備受關(guān)注。由于GaN的寬禁帶和高擊穿場強，Gan基器件可以提供更快的開關(guān)速

據(jù)悉，近日，《科學(xué)通報》以《模塊化局域元素供應(yīng)技術(shù)批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物》為題，在線發(fā)表了松山湖材料實驗室/北

今年5月底產(chǎn)品剛剛上市就訂單不斷，目前銷售產(chǎn)值已經(jīng)可以達(dá)到千萬級，我們正在加緊生產(chǎn)中。北京中科國光量子科技有限公司（以下

2023年7月26-28日，2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇將于西安召開。中國電子科技集團公司第十三研究所重點實驗室副主

近幾年新能源車的爆發(fā)，極大地促進了IGBT市場的發(fā)展。隨著全球電動車的銷量提升，新能源汽車的不斷普及，對于充電樁的需求日益增

隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等

第三屆紫外LED國際會議暨LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進大會(中國長治)將于9月5-7日召開。本屆論壇由長治市人民政府、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)

近日，中國電科43所活性金屬釬焊（AMB）基板一體化封裝先進工藝實現(xiàn)了電路、布線、封裝等多項技術(shù)升級，相關(guān)技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先

記者6月29日從中國電子科技集團獲悉，該集團旗下中電科電子裝備集團有限公司（簡稱電科裝備）已實現(xiàn)離子注入裝備28納米工藝制程

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 021202X《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測試方法》已完

【超38億元A輪股權(quán)融資創(chuàng)歷史】近日，安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司正式宣布完成超38億元A輪股權(quán)融資，融資規(guī)模創(chuàng)國內(nèi)第三代半導(dǎo)體

隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大和需求的增長，絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）作為功率電子器件的核心之一，是能源變換與傳輸?shù)?/p>

近日，工業(yè)和信息化部副部長辛國斌在新聞發(fā)布會上就汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化發(fā)展表示，相比電動化，汽車網(wǎng)聯(lián)化、智能化變革涉

近日，同濟大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項目落地江蘇省無錫市高新區(qū)。據(jù)悉，同濟大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項目利用同濟大學(xué)在晶

2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇將于7月26-28日在西安召開。

7月19-21日，由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會主辦的2023世界半導(dǎo)體大會暨南京國際半導(dǎo)體博覽會，將亮相南京國際

由山東大學(xué)牽頭制定，遵循CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定流程，經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS

據(jù)悉，日前，北京集成電路產(chǎn)教融合基地項目已于日前取得建筑工程施工許可證，將全面進入建設(shè)階段。該項目預(yù)計于2025年9月竣工。