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11月2日，外交部發(fā)言人趙立堅(jiān)主持例行記者會。有記者提問，美國政府要求日本等國采取措施，對中國實(shí)施半導(dǎo)體出口限制。據(jù)日本政

2022年10月31日，由中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）標(biāo)準(zhǔn)化委員會組織，中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)環(huán)境與可持續(xù)發(fā)展研究所牽

近日，美國物理聯(lián)合會(American Institute of Physics)旗下的著名期刊《應(yīng)用物理評論》（Applied Physics Reviews）在線發(fā)表了上

關(guān)于第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWSSSLCHINA2022）延期舉辦的通知尊敬的演講嘉賓、贊助商、參

作為全球封測產(chǎn)業(yè)鏈的重磅活動之一，中國系統(tǒng)級封裝大會暨展覽（SiP China）去年與ELEXCON同期舉辦且現(xiàn)場十分火爆！會議座無虛席

十四五技術(shù)要素市場專項(xiàng)規(guī)劃加快發(fā)展技術(shù)要素市場是完善社會主義市場經(jīng)濟(jì)體制的重要內(nèi)容，對實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，加快構(gòu)建以

2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 202

2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 202

為探討進(jìn)一步推動器件、測試、應(yīng)用等領(lǐng)域的技術(shù)融合，加快相關(guān)技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化，完善相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)化體系，促進(jìn)細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)鏈上下

關(guān)于召開2022年第二屆先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)教融合人才發(fā)展論壇的通知

在國創(chuàng)中心建設(shè)的基礎(chǔ)上，要將第三代半導(dǎo)體作為我省首批十大產(chǎn)業(yè)鏈之一，實(shí)現(xiàn)山西區(qū)域中心對技術(shù)鏈條及產(chǎn)業(yè)鏈條的帶動作用。10月

　　2022年9月23日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長、黑龍江省醫(yī)學(xué)科學(xué)院副院長張鳳民教授一行到訪創(chuàng)盈光療北京總

眾所周知，UVC LED紫外殺菌消毒主要應(yīng)用于空氣、水、表面三大領(lǐng)域，在便攜式消費(fèi)、家用電器、飲用水、車載空間、冷鏈物流、公共交通等眾多場景都有相關(guān)產(chǎn)品導(dǎo)入。進(jìn)入2022年以來，各領(lǐng)域應(yīng)用表現(xiàn)如何？

第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于11月7日-10日在蘇州國際博覽中心舉行。目前，論壇正式啟動線上注冊系統(tǒng)，11月1日前注冊報(bào)名可享受優(yōu)惠。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱國創(chuàng)中心）在京召開第一屆理事會第一次會議，標(biāo)志著國創(chuàng)中心正式邁入實(shí)際運(yùn)行階段。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：歷經(jīng)三個(gè)月，2022常州國際智造創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽汽車電子挑戰(zhàn)賽即將迎來決賽時(shí)刻。11月2-4日，經(jīng)過線上初審、復(fù)

順義區(qū)進(jìn)一步促進(jìn)第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施（征求意見稿）第一章 總則第一條 為貫徹《北京市十四五時(shí)期高精尖產(chǎn)業(yè)發(fā)

金剛石材料具備載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場強(qiáng)大等特性，是制造大功率、高溫、高頻器件的理想材料，由于它的帶

隨著 5G 和人工智能等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的不斷推進(jìn)，單純通過縮小工藝尺寸、增加單芯片面積等方式帶來的系統(tǒng)功能和性能提升已難以

據(jù)外媒報(bào)道，工程研究人員發(fā)明了新型高功率電子設(shè)備，比以前的技術(shù)更節(jié)能。這種裝置通過一種以受控方式摻雜氮化鎵（GaN）的獨(dú)特