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智匯光谷、激活未來(lái)，4月23日上午，2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在光谷開幕。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)

近日，根據(jù)中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱中微公司）發(fā)布的2024年度財(cái)報(bào)顯示，該公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯已

近日，清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ

近期，寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團(tuán)隊(duì)在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

光谷青桐匯Ultra（化合物半導(dǎo)體專場(chǎng)）即將重磅亮相。專場(chǎng)活動(dòng)將與國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級(jí)盛會(huì)九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博

4月23-25日，武漢光谷科技會(huì)展中心2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)，30+重磅論壇活動(dòng)，200+報(bào)告嘉賓，近300家展商齊聚CS

天眼查顯示，蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月7日，申請(qǐng)公

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的溝槽輔助平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格

一、工作站簡(jiǎn)介杭州鎵仁半導(dǎo)體博士后工作站聯(lián)合浙江大學(xué)博士后流動(dòng)站。研究團(tuán)隊(duì)由中科院院士楊德仁領(lǐng)銜，博士后研究工作由浙江大

近日，經(jīng)浙江省博士后工作辦公室批準(zhǔn)，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱鎵仁半導(dǎo)體)成功獲批設(shè)立浙江省博士后工作站，標(biāo)志著鎵仁

四月芳菲繪光谷，全球目光聚芯潮。4月23-25日，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件的專利，公開號(hào) CN 119836082 A

2025年4月15日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)由忱芯科

2025年4月15日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)由杭州飛

2025年4月15日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)由上海交

2025年4月17日，捷捷微電披露接待調(diào)研公告，公司于4月16日接待博時(shí)基金、東北電子、東方基金、國(guó)聯(lián)基金管理、國(guó)信證券等48家機(jī)構(gòu)

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性能，在藍(lán)綠激

總投資5100余萬(wàn)元建成后可助力龍游的半導(dǎo)體企業(yè)輕裝上陣。近日，芯盟高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房竣工驗(yàn)收。4月9日上午，在芯盟高等級(jí)功

天眼查顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年10月18日，申