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11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。特思迪將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會(huì)。值此，誠邀同仁共聚論壇，蒞臨B15號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。九域半導(dǎo)體將攜多款設(shè)備產(chǎn)品亮相此次展會(huì)。誠邀同仁共聚論壇，蒞臨A31 號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司申請一項(xiàng)名為一種光刻機(jī)對準(zhǔn)方法的專利，公開號(hào)CN 118838133 A，申請日期為

10月29日，由東海投資與淄博市臨淄區(qū)共同出資設(shè)立的淄博東海新驅(qū)動(dòng)創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）完成基金備案，總規(guī)模2億元。東

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法的專利，公開號(hào)CN 118829192 A，申請日期為2023

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司取得一項(xiàng)名為定位裝置的專利，授權(quán)公告號(hào)CN 221885077 U，申請日期為2024

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。目前，“氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用分會(huì)”最新報(bào)告日程正式出爐。

美國芝加哥大學(xué)普利茲克分子工程學(xué)院團(tuán)隊(duì)展示了界面生物電子學(xué)領(lǐng)域的新突破：他們創(chuàng)造出具有強(qiáng)大半導(dǎo)體功能的新型水凝膠材料。

作為IFWS的重要分會(huì)之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會(huì)最新報(bào)告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室、高武半導(dǎo)體，小米通訊技術(shù)，匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子，能訊高能半導(dǎo)體，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，九峰山實(shí)驗(yàn)室，江南大學(xué)，中國科學(xué)院微電子研究所的專家們分享精彩主題報(bào)告。

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司取得一項(xiàng)名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權(quán)公告號(hào)CN 2218

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，漢斯半導(dǎo)體（江蘇）有限公司取得一項(xiàng)名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權(quán)公告號(hào) CN 221871

壓力之下，聞泰科技如何在逆境中找到破局之道，不僅穩(wěn)固了市場地位，更實(shí)現(xiàn)了業(yè)績的飛躍？

拜登政府敲定針對美國個(gè)人和公司投資中國先進(jìn)技術(shù)的限制，其中包括半導(dǎo)體、量子計(jì)算和人工智能（AI）。新規(guī)旨在防止美國資本和專業(yè)知識(shí)被用來幫助中國開發(fā)先進(jìn)科技關(guān)鍵技術(shù)。

由于先進(jìn)封裝可以大幅提高芯片良率、降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度及減少芯片制造成本，已成為美日對華半導(dǎo)體競爭的最前沿。

總投資30億元！盤古半導(dǎo)體多芯片高密度板級(jí)扇出先進(jìn)封裝項(xiàng)目喜封金頂

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法及其相關(guān)產(chǎn)品的專利，公開號(hào) C

德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠

10月26日，總投資10億元的普創(chuàng)先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目已全面竣工投產(chǎn)。東莞日報(bào)消息稱，該項(xiàng)目由東莞普萊信智能技術(shù)有限公司籌劃，

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的DFN封裝形式的Gan HEMT器件實(shí)現(xiàn)了1200V高耐壓，并且展現(xiàn)出了極低的界面電容和優(yōu)良的熱阻 ，極快的開關(guān)速度，同時(shí)克服了氮化鎵器件容易發(fā)生的電流崩塌問題。測試結(jié)果顯示各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，意味著其產(chǎn)品在性能、質(zhì)量和可靠性方面具備優(yōu)勢，有更強(qiáng)的市場競爭力。

泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園位于武漢經(jīng)開綜合保稅區(qū)，由經(jīng)開產(chǎn)投集團(tuán)承建，項(xiàng)目總投資約3.4億元。