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4月9日，2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在武漢中國(guó)光谷科技會(huì)展中心開(kāi)幕。海內(nèi)外化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)軍企業(yè)齊聚一堂

今天（4月9日）2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在武漢光谷正式開(kāi)幕。9位國(guó)內(nèi)外院士、300多名行業(yè)領(lǐng)軍人、800多家企業(yè)代表齊聚一堂，近萬(wàn)名觀眾到場(chǎng)觀展觀會(huì)，這也是國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，規(guī)模最大、規(guī)格最高的標(biāo)桿性盛會(huì)。

長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)4月8日訊（記者　李琴）　我們每天都在做世界上最好的EDA！踏進(jìn)湖北九同方微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)九同方），一行大字

全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓下線，將盡快實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)商用；破解太赫茲器件頻率瓶頸，產(chǎn)品性能達(dá)國(guó)際前沿水平一手牽科研

據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)取得一項(xiàng)名為一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，授權(quán)公告號(hào)CN114373837B，申請(qǐng)

4月8日，安建半導(dǎo)體宣布C1輪融資圓滿收官，獲得超過(guò)2億元融資，由北京國(guó)管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬(wàn)創(chuàng)投

近日獲悉，第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房（二期）正緊張有序施工中，現(xiàn)已完成總工程量的15%，預(yù)計(jì)年底完成整體結(jié)構(gòu)封頂。據(jù)

近日，據(jù)湖北新聞透露，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年6月封頂，明年7月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸SiC晶片及外延片、年產(chǎn)

2024年4月8-11日，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的標(biāo)桿性展會(huì)——2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)將在武漢光谷科技會(huì)展中心舉行。

2024年4月8-11日，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的標(biāo)桿性展會(huì)2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)將在武

?2024年4月8-11日，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的標(biāo)桿性展會(huì)——2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)將在武漢光谷科技會(huì)展中心舉行。

中電科風(fēng)華信息裝備股份有限公司誠(chéng)邀業(yè)界同仁蒞臨參觀、交流合作。

根據(jù)桐廬經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)報(bào)道，3月31日，在浙江省桐廬經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)招商引資項(xiàng)目簽約儀式上，激光切割設(shè)備及年產(chǎn)100萬(wàn)片SiC襯底生

科友半導(dǎo)體官微消息，2024年3月27日，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開(kāi)展八英寸碳化硅完美籽晶的項(xiàng)目合作。

近日，廈門(mén)大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)康聞?dòng)钐厝胃毖芯繂T和尹君副教授在人工智能輔助的SiC單晶無(wú)損表征方面取得重要進(jìn)展，相關(guān)研究成果以“Non-destructive and deep learning-enhanced characterization of 4H-SiC material”為題發(fā)表于Aggregate期刊。該工作為重現(xiàn)SiC晶體的生長(zhǎng)過(guò)程、快速優(yōu)化生長(zhǎng)工藝提供一條全新的途徑，相關(guān)技術(shù)對(duì)于提高第三代半導(dǎo)體單晶生產(chǎn)效率表現(xiàn)出重要的應(yīng)用前景。

天眼查顯示，大連理工大學(xué)氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用專(zhuān)利公布，申請(qǐng)公布日為2024年3月26日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117761126A

長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)3月26日訊（記者 李琴 通訊員 張希為）激光飛旋，智能化生產(chǎn)線上，一片碳化硅晶圓完成了切割，崩邊尺寸在5微米以內(nèi)，達(dá)

3月26日，2024臨港科創(chuàng)大會(huì)在上海臨港（600848）中心隆重召開(kāi)。在市委市政府、臨港管委會(huì)各位領(lǐng)導(dǎo)的見(jiàn)證下，長(zhǎng)三角國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新

據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，清華大學(xué)申請(qǐng)一項(xiàng)名為半導(dǎo)體裝置的制備方法、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備，公開(kāi)號(hào)CN117766402A，申請(qǐng)日期為2023

新質(zhì)生產(chǎn)力成為各地經(jīng)濟(jì)發(fā)展中的熱門(mén)詞匯。