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北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)（北京亦莊）發(fā)布了《北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)2024年全面優(yōu)化營商環(huán)境十大行動方案》

平均每天招引9億元項目“高位”之上，光谷招商再加碼。

《長江日報》發(fā)布“2023年度武漢市十大硬科技成果”，該評選由武漢市科技局發(fā)起，十家單位的硬核科技產(chǎn)品榜上有名。

2英寸碳化硅單晶襯底、4英寸碳化硅單晶襯底、6英寸碳化硅單晶襯底河北同光半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱同光）自成立以來，不斷

2月23日，記者從中國政府網(wǎng)獲悉，國務(wù)院任免國家工作人員，任命單忠德為工業(yè)和信息化部副部長。單忠德，1970年1月出生，山東高密

化合物半導(dǎo)體已成為許多行業(yè)謀求變革的關(guān)鍵，在許多應(yīng)用領(lǐng)域都展現(xiàn)出了巨大的潛力，未來10年將對國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的重塑產(chǎn)生至

2023年，我們企業(yè)銷售額同比增長2.2倍，納稅額同比增長1.8倍，銷售額和納稅額均連續(xù)三年成倍增長。北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)（北京亦莊

2023年是半導(dǎo)體市場承壓和庫存整理的年份，但其中也有明顯逆勢而上的產(chǎn)業(yè)——碳化硅（SiC）市場。

香港科技大學(xué)（HKUST）的研究人員開發(fā)了一種新的集成技術(shù)，用于高效集成III-V族化合物半導(dǎo)體器件和硅，為低成本、大容量、高速度

進入21世紀以來，以氮化鎵、碳化硅、氧化鎵、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料開始初露頭角。

前瞻布局，九峰山實驗室建立異質(zhì)集成先進鍵合能力。

新年快樂!2023年如同一葉扁舟載著我們穿越風浪我們見證了產(chǎn)業(yè)技術(shù)的變遷也感受到了市場變化的波瀾人才是第一資源產(chǎn)才融合是創(chuàng)新

近日，清純半導(dǎo)體正式推出1200V/3.5 mΩ的SiC MOSFET芯片（型號：SG2MA35120B）及對應(yīng)SOT227封裝器件（型號：S1P04R120SSE

2024年1月30日，中機新材董事長陳斌專程拜訪山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授。此次會面，雙方不僅進行了深度的交流，更在多個領(lǐng)域達成了共識。

深圳大學(xué)材料學(xué)院劉新科課題組成功在氮化鎵單晶襯底上外延了具有p型導(dǎo)電特性的高質(zhì)量連續(xù)的MoxRe1-xS2薄膜，制備了一個完全垂直的p-2D/GaN異質(zhì)光電二極管。器件具有突出的光開關(guān)比（> 106）和極高的光探測率（6.13×1014），實現(xiàn)了紫外到可見、近紅外區(qū)域的寬光譜檢測。

2023年，外部形勢復(fù)雜多變、內(nèi)部經(jīng)濟復(fù)蘇進程緩慢曲折。在此背景下，我國半導(dǎo)體照明行業(yè)整體需求仍然疲軟，庫存高位、產(chǎn)能利用率

據(jù)晶能光電官微消息，近日，江西省市場監(jiān)督管理局批復(fù)同意由晶能光電牽頭籌建江西省技術(shù)標準創(chuàng)新基地（硅襯底半導(dǎo)體照明），這是

基于SiC單晶制備的功率器件具有耐高溫、低損耗、耐高壓等優(yōu)良性能，能夠滿足電力電子系統(tǒng)的輕量化、高效率和小型化的需求，在新

實力對決，巔峰之戰(zhàn)。經(jīng)過20天的激烈角逐，2023年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選公眾投票階段暫告一段落

存儲行業(yè)，會是2024年半導(dǎo)體全行業(yè)價值飆升的關(guān)鍵。