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4月23-25日，武漢光谷科技會展中心2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會，30+重磅論壇活動，200+報告嘉賓，近300家展商齊聚CS

天眼查顯示，蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利公布，申請公布日為2025年3月7日，申請公

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的溝槽輔助平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴(yán)格

一、工作站簡介杭州鎵仁半導(dǎo)體博士后工作站聯(lián)合浙江大學(xué)博士后流動站。研究團(tuán)隊由中科院院士楊德仁領(lǐng)銜，博士后研究工作由浙江大

近日，經(jīng)浙江省博士后工作辦公室批準(zhǔn)，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體)成功獲批設(shè)立浙江省博士后工作站，標(biāo)志著鎵仁

九峰山實驗室（JFS Lab）向各科研機(jī)構(gòu)提供氧化鎵”Coupon to wafer”流片研發(fā)平臺，同時提供多種科研級功率器件封裝單管。

四月芳菲繪光谷，全球目光聚芯潮。4月23-25日，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)將在武漢光谷科技會展中心盛

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件的專利，公開號 CN 119836082 A

近日，致瞻科技與歐洲行業(yè)頭部企業(yè)正式簽署長期保障供貨協(xié)議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術(shù)和液冷超充系統(tǒng)集成能力，成為該客

4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱瑞薩電子）達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si

2025年4月15日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由忱芯科

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2025年4月17日，捷捷微電披露接待調(diào)研公告，公司于4月16日接待博時基金、東北電子、東方基金、國聯(lián)基金管理、國信證券等48家機(jī)構(gòu)

4月18日，國新辦召開新聞發(fā)布會，介紹2025年一季度工業(yè)和信息化發(fā)展情況。記者從會上獲悉，今年一季度，作為新質(zhì)生產(chǎn)力的重要組

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性能，在藍(lán)綠激

總投資5100余萬元建成后可助力龍游的半導(dǎo)體企業(yè)輕裝上陣。近日，芯盟高等級功率半導(dǎo)體廠房竣工驗收。4月9日上午，在芯盟高等級功

近期，全國建設(shè)項目環(huán)境信息公示平臺發(fā)布了河北同光科技發(fā)展有限公司年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目竣工環(huán)境保護(hù)驗收公示。該項目

天眼查顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請公布日為2024年10月18日，申

納微半導(dǎo)體今日宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過AEC-Q100和AEC-Q101兩項車規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市